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    Eine integrierte Hochspannungsschaltung umfaßt einen Schalter mit einem angeschalteten und einem ausgeschalteten Zustand, der eine parasitäre Steuerelektrodenkapazität aufweist. Der Schalter besteht aus einem Paar DMOS-Transistoren (M¶D1¶, M¶D2¶), die Rücken zu Rücken integriert sind, und hat einen gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß. Die Senken der DMOS-Transistoren sind mit den Eingangsanschlüssen bzw. Ausgangsanschlüssen des Schalters verbunden. Die Schaltung weist außerdem eine Anschaltschaltung (M¶4¶) mit einem PMOS-Transistor auf, dessen Senke mit dem gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß des Schalters über eine Diode (D¶1¶) verbunden ist, dessen Quelle mit einem globalen Vorspannungsanschluß (V¶g0¶) für Schaltersteuerelektroden verbunden ist, von dem der PMOS-Transistor Strom entnimmt und dessen Steuerelektrode elektrisch mit einem Steueranschluß für eine Schaltersteuerelektrode gekoppelt ist, die ein Steuerspannungssignal (V¶p¶) für eine Schaltersteuerelektrode empfängt. Der Schalter geht von dem ausgeschalteten Zustand zu dem angeschalteten Zustand als Reaktion auf einen ersten Übergang des Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden über, der den PMOS-Transistor veranlaßt, sich anzuschalten, und der Schalter bleibt als Reaktion auf einen zweiten Übergang des Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden, der den PMOS-Transistor veranlaßt, sich abzuschalten, im angeschalteten Zustand. Die DMOS-Transistoren schalten sich als Reaktion auf die ...A high voltage integrated circuit includes a switch with an on and an off state that has a parasitic control electrode capacitance. The switch consists of a pair of DMOS transistors (M¶D1¶, M¶D2¶), which are integrated back to back, and has a common control electrode connection. The sinks of the DMOS transistors are connected to the input connections or output connections of the switch. The circuit also has a power-up circuit (M¶4¶) with a PMOS transistor, the drain of which is connected to the common control electrode connection of the switch via a diode (D¶1¶), the source of which is connected to a global bias connection (V¶g0¶ ) for switch control electrodes, from which the PMOS transistor draws current and whose control electrode is electrically coupled to a control connection for a switch control electrode which receives a control voltage signal (V¶p¶) for a switch control electrode. The switch transitions from the off state to the on state in response to a first transition of the control voltage signal for switch control electrodes which causes the PMOS transistor to turn on and the switch remains in response to a second transition of the control voltage signal for switch control electrodes which is the PMOS transistor causes to turn off when on. The DMOS transistors switch in response to the ...
    公开号:DE102004001175A1
    申请号:DE200410001175
    申请日:2004-01-05
    公开日:2004-09-16
    发明作者:Robert Gideon Wodnicki
    申请人:General Electric Co；
    IPC主号:A61B8-00
    专利说明:
    [0001] Die Erfindung betrifft allgemeinintegrierte Hochspannungsschaltungen. Insbesondere bezieht sichdie Erfindung auf integrierte Hochspannungsschaltungen zur Verwendungin Verbindung mit einer Anordnung aus Elementen. Solche Anordnungen schließen insbesondereMatrixfelder aus Ultraschallmeßwertumformern,Pixelfelder fürFlüssigkristallanzeigenusw. ein, sind aber nicht darauf beschränkt.The invention relates generallyintegrated high voltage circuits. In particular relatesthe invention to use high voltage integrated circuitsin connection with an arrangement of elements. Such arrangements include in particularMatrix fields from ultrasonic transducers,Pixel fields forliquid crystal displaysetc., but are not limited to this.
    [0002] Zur Veranschaulichung werden verschiedeneAusführungsformender Erfindung mit Bezugnahme auf Matrixfelder aus Ultraschallmeßwertumformernbeispielsweise den sogenannten „ringförmigen Mosaikfeldern" zur Verwendung für die Ultraschallabbildungbeschrieben. Ein ringförmigesMosaikfeld beruht auf der Idee, die aktive Apertur eines Ultraschallmeßwertumformersin ein Mosaik aus sehr kleinen Unterelementen einzuteilen und dannringförmige Elementeaus diesen Unterelementen zu bilden, indem sie mit elektronischenSchaltern verbunden werden. Jedoch ist die Geometrie der Matrixelemente nichtauf ringförmigeGestalten beschränkt.Diese „Matrixelemente" können elektronischentlang der Oberflächedes Mosaikfelds „bewegt" werden, um durchVeränderungder Schalteranordnung Abtasten durchzuführen. Andere Elementanordnungenerlauben das Strahlbündeln,was es ermöglicht,volumetrische Datensätzezu erfassen. Eine Anordnung mehrerer konzentrischer ringförmiger Elementesorgt für eineoptimale akustische Bildqualität,indem die Elementformen an die akustischen Phasenfronten angepaßt werden.Die erfindungsgemäßen Schaltersind nicht auf die Verwendung in Mosaikfeldern beschränkt.Various are used for illustrationembodimentsof the invention with reference to matrix fields from ultrasonic transducersfor example the so-called "ring-shaped mosaic fields" for use in ultrasound imagingdescribed. A ring-shapedMosaikfeld is based on the idea of the active aperture of an ultrasonic transducerdivided into a mosaic of very small sub-elements and thenannular elementsform from these sub-elements by using electronicSwitches are connected. However, the geometry of the matrix elements is noton ring-shapedDesign limited.These "matrix elements" can be electronicalong the surfaceof the mosaic field to be "moved" throughchangeto scan the switch assembly. Other element arrangementsallow beam focusing,what makes it possiblevolumetric recordscapture. An arrangement of several concentric annular elementsensures oneoptimal acoustic image quality,by adapting the element shapes to the acoustic phase fronts.The switches according to the inventionare not limited to use in mosaic fields.
    [0003] Aus dem Stand der Technik bekannteUltraschallabbildungssysteme weisen ein Matrixfeld aus Ultraschallmeßwertumformernauf, die verwendet werden, um einen Ultraschallstrahl auszusendenund den von dem Untersuchungsobjekt reflektierten Strahl zu empfangen.Ein derartiges Abtasten umfaßt eineReihe von Messungen, in denen die fokussierte Ultraschallwelle ausgesendetwird, das System nach einem kurzen Zeitintervall in den Empfangsmodus umschaltetund die reflektierte Ultraschallwelle empfangen, strahlgebündelt undfür dieAnzeige verarbeitet wird. Typischerweise wird das Aussenden undder Empfang währendjeder Messung in die gleiche Richtung fokussiert, um Daten aus einerReihe von Punkten entlang eines akustischen Strahls oder einer Abtastliniezu erfassen. Der Empfängerwird füreine Folge von Bereichen entlang der Abtastlinie dynamisch fokussiert,währenddie reflektierten Ultraschallwellen empfangen werden.Known from the prior artUltrasound imaging systems have a matrix array of ultrasound transducersthat are used to emit an ultrasound beamand receive the beam reflected from the object under examination.Such scanning includes oneSeries of measurements in which the focused ultrasonic wave is emittedthe system switches to receive mode after a short time intervaland receive the reflected ultrasonic wave, beam focused andfor theAd is being processed. Typically, sending andthe reception duringeach measurement focused in the same direction to get data from oneRow of points along an acoustic beam or scan linecapture. The recipientis fordynamically focused a sequence of areas along the scan line,whilethe reflected ultrasonic waves are received.
    [0004] Fürdie Ultraschallabbildung hat das Matrixfeld typischerweise mehrereMeßwertumformer,die in einer oder zwei Spalten angeordnet sind und von getrennteSpannungen getrieben werden. Durch Auswählen der Zeitverzögerung (oderPhase) und Amplitude der angelegten Spannungen, können einzelneMeßwertumformerin einer bestimmten Spalte so gesteuert werden, daß sie Ultraschallwellenerzeugen, die sich so kombinieren, daß sie eine Gesamtultraschallwellebilden, die sich entlang einer bevorzugten Vektorrichtung fortpflanztund in einer ausgewähltenZone a fokussiert ist.Forthe ultrasound image typically has several in the matrix fieldtransducer,which are arranged in one or two columns and separated byTensions are driven. By selecting the time delay (orPhase) and amplitude of the applied voltages, individualtransducerin a particular column can be controlled to emit ultrasonic wavesgenerate that combine so that they form a total ultrasonic waveform that propagates along a preferred vector directionand in a selected oneZone a is focused.
    [0005] Die gleichen Prinzipien sind anwendbar, wennder Meßwertumformerprüfkopf verwendetwird, um den reflektierten Schall in einem Empfangsmodus zu empfangen.Die Spannungen, die bei den Empfangsmeßwertumformern erzeugt werden,werden summiert, so daß dasGesamtsignal bezeichnend fürden Ultraschall ist, der von einer einzelnen Fokuszone des Objektsreflektiert wird. Wie im Aussendemodus wird dieser fokussierte Empfangder Ultraschallenergie durch Verwendung von getrennten Zeitverzögerungen(und/der Phasenverschiebungen) und Verstärkung des Signals von jedemEmpfangsmeßwertumformererreicht. Die zeitlichen Verzögerungenwerden mit zunehmender Tiefe des zurückgegebenen Signals so angepaßt, daß beim Empfangfür dynamischeFokussierung gesorgt wird.The same principles apply whenthe transducer probe is usedto receive the reflected sound in a receive mode.The voltages generated by the receive transducersare summed up so that theTotal signal indicative ofis the ultrasound that comes from a single focus zone of the objectis reflected. As in transmission mode, this focused receptionthe ultrasonic energy by using separate time delays(and / the phase shifts) and amplification of the signal from eachEmpfangsmeßwertumformerreached. The time delaysare adjusted with increasing depth of the returned signal so that when receivingfor dynamicFocus is taken care of.
    [0006] Die Auflösungsqualität des entstandenen Bilds istteilweise eine Funktion der Anzahl der Meßwertumformer, aus denen jeweilsdie Aussende- und Empfangsapertur der Meßwertumformermatrix besteht.Demgemäß ist einegroßeAnzahl von Meßwertumformernsowohl fürdie zweidimensionale als auch fürdie dreidimensionale Abbildung wünschenswert,um eine hohe Bildqualitätzu erreichen. Die Ultraschallmeßwertumformerbefinden sich typischerweise in einem von einer Hand gehaltenenMeßwertumformerprüfkopf, der über einbiegsame Kabel mit einer elektronischen Einheit verbunden ist, diedie Meßwertumformersignaleverarbeitet und Ultraschallbilder erzeugt. Auf dem Meßwertumformerprüfkopf kannsich sowohl die Ultraschallsendeschaltung als auch die Ultraschallempfangsschaltungbefinden.The resolution quality of the resulting image ispartly a function of the number of transducers from which eachthe transmission and reception aperture of the transmitter matrix exists.Accordingly, one issizeNumber of transducersas well asthe two-dimensional as well forthe three-dimensional image is desirable,high image qualityto reach. The ultrasonic transducersare typically in a hand-held oneTransmitter probe that has aflexible cable is connected to an electronic unit thatthe transducer signalsprocessed and generated ultrasound images. On the transducer probeboth the ultrasonic transmitter circuit and the ultrasonic receiver circuitare located.
    [0007] Die Verwendung von Hochspannungskompenentenin der Aussendeschaltung, um die einzelnen Ultraschallmeßwertumformerzu treiben, ist bekannt, währenddigitale Logikschaltungen mit niedriger Spannung und hoher Dichteverwendet werden, um die Aussendesignale bei den Hochspannungstreibernbereitzustellen. Die Hochspannungstreiber werden typischerweisemit Spannungen von bis zu ungefähr100 Volt betrieben, währenddie Logikschaltung mit niedriger Spannung eine Betriebsspannungin der Größenordnungvon 5 Volt fürTTL-Logik hat. Die Hochspannungstreiber können aus diskreten Komponentenoder integrierten Schaltungen bestehen, während die Logikschaltung mitniedriger Spannung aus einer getrennten integrierten Schaltung bestehen kannoder mit der Hochspannungsschaltung auf einem einzigen Chip integriertsein kann. Zusätzlichzu der Aussendeschaltung mit den Hochspanungstreibern und der Logikschaltungmit niedriger Spannung kann der Meßwertumformerprüfkopf analogeEmpfangsschaltungen mit niedrigem Rauschen und niedriger Spannungumfassen. Die Empfangsschaltung mit niedriger Spannung hat ebensowie die Aussendelogikschaltung eine Betriebsspannung in der Größenordnungvon 5 Volt und kann eine getrennte integrierte Schaltung sein oderzusammen mit der Aussendelogikschaltung mit niedriger Spannung alseine monolithische integrierte Schaltung hergestellt sein.The use of high voltage components in the transmit circuitry to drive the individual ultrasonic transducers is known, while low voltage, high density digital logic circuits are used to provide the transmit signals to the high voltage drivers. The high voltage drivers are typically operated at voltages up to approximately 100 volts, while the low voltage logic circuit has an operating voltage on the order of 5 volts for TTL logic. The high voltage drivers may consist of discrete components or integrated circuits, while the low voltage logic circuit may consist of a separate integrated circuit or may be integrated with the high voltage circuit on a single chip. In addition to the high voltage driver and low voltage logic circuitry, the transducer probe may include low noise, low voltage analog receive circuits. The receiving circuit low voltage, like the sendout logic circuit, has an operating voltage on the order of 5 volts and may be a separate integrated circuit or be fabricated together with the low voltage sendout logic circuit as a monolithic integrated circuit.
    [0008] Um die Anzahl der Meßwertsumformerzu maximieren und somit eine hohe Qualität der Ultraschallbilder zuerreichen, ist es wünschenswert,so viele Schaltungen wie möglichin einem kleinen Volumen zu integrieren und die Größe und Komplexität der Schaltungenzu verringern, ob die Schaltungen sich innerhalb des Meßwertumformerprüfkopfs oder einergetrennten elektronischen Einheit befinden. Einige Anwendungen wiebeispielsweise die Ultraschallabbildung mit sehr hoher Frequenzerfordern es zusätzlich,daß sichdie Aussendeschaltung so nah wie möglich bei den Meßwertumformernbefindet, um die Signalübertragung über einlanges Kabel zu vermeiden.The number of transducersmaximize and thus a high quality of the ultrasound imagesachieve, it is desirableas many circuits as possibleintegrate in a small volume and the size and complexity of the circuitsto decrease whether the circuits are within the transducer probe or oneseparate electronic unit. Some applications likefor example ultrasound imaging with a very high frequencyadditionally requirethat itselfthe transmission circuit as close as possible to the transducerslocated to transmit signals over aavoid long cables.
    [0009] Zusätzlich muß die intergrierte Schaltung Schalteraufweisen, um die ausgewähltenUltraschallmeßwertumformerdes Matrixfeldes mit den zugehörigenHochspannungstreibern währenddes Aussendens und mit den zugehörigenEmpfängern während desEmpfangs zu koppeln. Ein vorgeschlagenes Matrixfeld aus Ultraschallmeßwertumformern, dasintegrierte Hochspannungstreiberschaltungen verwendet, ist ein sogenanntes „ringförmiges Mosaikfeld". In einem Ultraschallprüfkopf miteinem ringförmigenMosaikfeld besteht die Notwendigkeit, daß sowohl die Matrix- als auchdie Zugriffsschalter hohen Spannungen widerstehen können, diebeim Aussenden verwendet werden. Da das Matrixfeld mehr als 40.000Schalter auf weist, ist gleichzeitig der Betrieb mit niedriger Leistungeine wichtige Erwägung. Zusätzlich muß es möglich sein,viele solcher Schalter in Reihe zu schalten und ihren Widerstandim angeschaltetem Zustand selektiv zu programmieren, um Verarbeitungsabweichungenzu korrigieren. Außerdemmuß derSchalter die Fähigkeithaben, seinen Zustand unabhängigvon zusätzlicherLogik beizubehalten, wodurch die erforderliche digitale Schaltungvereinfacht wird und auch die Verwendung von unterschiedlichen Aussende-und Empfangsaperturen ermöglichtwird.In addition, the integrated circuit switchhave the selectedUltraschallmeßwertumformerof the matrix field with the associatedHigh voltage drivers duringof sending and with the associatedRecipients during theReception to pair. A proposed array of ultrasound transducers, theIntegrated high-voltage driver circuits is a so-called "ring-shaped mosaic field". In an ultrasound probe withan annularMosaic field there is a need for both the matrix andthe access switches can withstand high voltagesbe used when sending. Since the matrix field more than 40,000Switch has, is also the operation with low poweran important consideration. In addition, it must be possiblemany such switches in series and their resistanceto be programmed selectively when switched on to avoid processing deviationsto correct. Moreovermust theSwitch the abilityhave his condition regardlessof additionalLogic to maintain, eliminating the need for digital circuitryis simplified and the use of different transmissionand receiving aperturesbecomes.
    [0010] Gegenwärtig verwenden Ultraschallmaschinenkommerziell erhältlicheintegrierte Hochspannungsschaltungen, die im allgemeinen in Gruppen von8 Schaltern pro Bauteil gepackt sind. Ein repräsentatives Patent für dieseTechnologie ist das US-Patent Nr. 4,595,847. Im allgemeinen verwendet diesesBauteil Hochspannungs-DMOS-Schalter, die Rücken an Rükken integriert sind. Diesist aus dem Stand der Technik als ein Erfordernis aufgrund der parasitären Dioden,welche die Bauelemente aufweisen, bekannt. [Siehe beispielsweise „Usingthe Power MOSFET'sIntegral Reverse Rectifier",Fragale et al., Proc. PowerCon 7: Seventh National Solid-State PowerConversion Conference, San Diego, California March 1980.] Ein wichtigesMerkmal dieses Bauteils ist die Fähigkeit, hohe Spannungen anbeiden Signalanschlüssenauszuhalten, währendder Steueranschluß relativzu dieser Spannung schwebt. Ein Pegelverschieber wird verwendet,um zu ermöglichen,daß derSchalter auf diese Art betrieben wird.Currently use ultrasound machinescommercially availablehigh voltage integrated circuits, generally in groups of8 switches are packed per component. A representative patent for thisTechnology is U.S. Patent No. 4,595,847. Generally uses thisComponent high-voltage DMOS switches, which are integrated back to back. Thisis from the prior art as a requirement due to the parasitic diodes,which have the components known. [See, for example, “Usingthe Power MOSFET'sIntegral Reverse Rectifier ",Fragale et al., Proc. PowerCon 7: Seventh National Solid-State PowerConversion Conference, San Diego, California March 1980.] An important oneCharacteristic of this component is the ability to withstand high voltagestwo signal connectionsendure whilethe control connection relativefloating to this tension. A level shifter is usedto enablethat theSwitch operated in this way.
    [0011] Eine ähnliche Anwendung wie der vorliegendenErfindung ist das Treiben einer Flüssigkristallanzeige (LCD).Die LCD erfordert hohe Spannungen (100V), erfordert aber keinenhohen Strom. Eine Lösungdes LCD-Treiberproblems wird in einer Schrift von Doutreloigne etal. mit dem Titel „AVersatile Micropower High-Voltage Flat-Panel Display Driver etc." und auch in derveröffentlichenEuropäischen Pa tentanmeldungNr. 1089433 offenbart. Dieses Bauteil verwendet auch Hochspannung-DMOS-Schalter;jedoch verwendet es einen dynamisch vorgepolten Pegelverschieber.Der Vorteil der Verwendung eines dynamisch vorgepolten Pegelverschiebersist, daß erkeine dynamische Leistung verbraucht. Die Technik der dynamischenSpeicherung von Steuerungsspannung ist aus dem Stand der Technikbekannt und wird am häufigstenbei dynamischen Schieberegister und dynamischen RAM angetroffen,die in der kommerziellen Elektronik vorherrschen. Insbesondere offenbartdas US-Patent Nr. 5,212,474 einen Hochspannungspegelverschieber,der die dynamische Speicherung der Spannung verwendet, um ein Bauteilmit niedriger Leistung und kleinem Faktor zu realisieren.An application similar to the present oneThe invention is the driving of a liquid crystal display (LCD).The LCD requires high voltages (100V) but does not require onehigh current. A solutionthe LCD driver problem is described in a document by Doutreloigne etal. with the title “AVersatile Micropower High-Voltage Flat-Panel Display Driver etc. "and also in thepublishEuropean patent applicationNo. 1089433. This device also uses high voltage DMOS switches;however, it uses a dynamically pre-polarized level shifter.The advantage of using a dynamically pre-polarized level shifteris that heno dynamic power consumed. The technique of dynamicStorage of control voltage is state of the artknown and becomes the most commonencountered with dynamic shift registers and dynamic RAM,that prevail in commercial electronics. In particular, disclosedU.S. Patent No. 5,212,474 a high voltage level shifter,which uses the dynamic storage of voltage to a componentto realize with low power and small factor.
    [0012] Im US-Patent Nr. 6,288,603 offenbarenZanuccoli et al. einen doppelt gerichteten Hochspannungsschalter,der auf ähnlicheArt betrieben wird wie derjenige, der von Doutreloigne et al. offenbartist, mit einer verbesserten Fähigkeitunabhängigvon Versorgungsspannungen bei Schalteranschlüssen betrieben zu werden. DiesesBauteil verwendet auch einen dynamischen Pegelverschieber, der eineSteuerungsspannung bei dem Steuerungsanschluß des FET-Schalters speichert.Das Bauteil ist fürden Betrieb mit einem einzigen NMOS-Bauteil ausgelegt und geht sehrweit, um dies zu ermöglichen.In U.S. Patent No. 6,288,603Zanuccoli et al. a bidirectional high voltage switch,the on similarIs operated like the one described by Doutreloigne et al. disclosedis with an improved abilityindependentlyto be operated by supply voltages at switch connections. ThisComponent also uses a dynamic level shifter, the oneControl voltage at the control terminal of the FET switch stores.The component is fordesigned for operation with a single NMOS component and works very wellfar to make this possible.
    [0013] In einem Matrixfeld aus Ultraschallmeßwertumformernbesteht sowohl Bedarf an Matrix- als auch an Zugriffsschaltern,die die hohen Spannungen aushalten können, die während des Aussendens verwendetwerden und gleichzeitig wenig Leistung verbrauchen. Es muß möglich sein,viele solche Schalter in Reihe zu schalten. Sie müssen individuell programmierbareWiderständefür denangeschalteten Zustand haben. Außerdem müssen die Schalter ihren Zustandunabhängigvon zusätzlicherLogik beibehalten könnenund die Änderungdes Widerstands fürden angeschalteten Zustand steuerbar sein.In a matrix field made up of ultrasonic transducersthere is a need for both matrix and access switches,which can withstand the high voltages used during the broadcastand consume little power at the same time. It must be possible,to put many such switches in series. They have to be individually programmableresistorsfor thehave switched on state. In addition, the switches must have their stateindependentlyof additionalCan maintain logicand the changeof resistance forthe switched on state can be controlled.
    [0014] Aufgabe der vorliegenden Erfindungist es, eine verbesserte Hochspannungsschaltung, ein verbessertesBauelement, das eine Hochspannungsschaltung aufweist, und ein verbessertesVerfahren zur Programmierung von Hochspannungsschaltungen zu schaffen.Obwohl die offenbarten Ausführungsformenzur Verwendung in Matrixfeldern aus Ultraschallmeßwertumformerngeeignet sind, sind die Hochspannungsschaltungen, die hier offenbart werden,nicht auf die Ultraschallabbildung beschränkt.The object of the present invention is to provide an improved high-voltage circuit, an improved component having a high-voltage circuit, and an improved method for programming high-voltage circuits to create conditions. Although the disclosed embodiments are suitable for use in ultrasound transducer array arrays, the high voltage circuits disclosed herein are not limited to ultrasound imaging.
    [0015] Erfindungsgemäß wird eine integrierte Hochspannungsschaltunggeschaffen mit: einem Schalter mit einem angeschalteten und einemausgeschalteten Zustand, der eine parasitäre Steuerelektrodenkapazität aufweist,wobei der Schalter ein Paar DMOS-Transistoren aufweist, die Rücken zuRücken integriertsind und einen gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß haben,wobei die Senken der DMOS-Transistoren mit dem Eingangsanschluß bzw. demAusgangsanschluß desSchalters verbunden sind; und einer Anschaltschaltung mit einem PMOS-Transistor, dessenSenke mit den gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß des Schalters über eineDiode verbunden ist, dessen Quelle mit einem ersten globalen Vorspannungsanschluß für Steuerelektrodenverbunden ist, von welchem der PMOS-Transistor Strom entnimmt, undwobei dessen Steuerelektrode elektrisch mit einem Steueranschluß für die Schaltersteuerelektrodegekoppelt ist, der ein Steuerspannungssignal für eine Schaltersteuerelektrodeempfängt.Der Schalter geht von dem ausgeschalteten Zustand zu dem angeschaltetenZustand als Reaktion auf einen ersten Übergang des Steuerspannungssignalsfür dieSchaltersteuerelektrode über,welches den PMOS-Transistor veranlaßt sich anzuschalten, wobeider Schalter als Reaktion auf einen zweiten Übergang des ersten Steuerspannungssignalsfür dieSchaltersteuerelektrode, welches den PMOS-Transistor veranlaßt sichabzuschalten, in dem angeschalteten Zustand bleibt.According to the invention, an integrated high-voltage circuitcreated with: a switch with one switched on and oneswitched off state, which has a parasitic control electrode capacitance,wherein the switch has a pair of DMOS transistors that backIntegrated backare and have a common control electrode connection,the sinks of the DMOS transistors with the input terminal and theOutput connection of theSwitch are connected; and an activation circuit with a PMOS transistor, theSink with the common control electrode connector of the switch over oneDiode is connected, the source of which is connected to a first global bias connection for control electrodesfrom which the PMOS transistor takes current, andthe control electrode of which is electrically connected to a control connection for the switch control electrodeis coupled, the a control voltage signal for a switch control electrodereceives.The switch goes from the off state to the on stateState in response to a first transition of the control voltage signalfor theSwitch control electrode over,which causes the PMOS transistor to turn on, wherebythe switch in response to a second transition of the first control voltage signalfor theSwitch control electrode, which causes the PMOS transistorswitch off, remains in the switched on state.
    [0016] Ferner wird ein Meßwertumformerprüfkopf geschaffenmit: mehreren Ultraschallmeßwertumformern;einer Treiberschaltung fürUltraschallmeßwertumformer;und mehreren Hochspannungsschaltungen, die jeweils mit mehrerenUltraschallmeßwertumformernverbunden sind, wobei jede Schaltung einen entsprechenden Schalter,der Eingangs- und Ausgangsanschlüssehat, und eine entsprechende Schaltersteuerungsschaltung zum Steuerndes Zustands des entsprechenden Schalters aufweist, wobei die Schaltermit den Ausgangsanschlüssenvon jedem Schalter (außerdem letzten Schalter) in Reihe verbunden sind, die mit dem Eingangsanschluß des nächsten Schaltersverbunden sind, wobei jeder Ultraschallmeßwertumformer mit einem entsprechendenAusgangsanschluß einesentsprechenden Schalters gekoppelt ist, wobei jede Schaltersteuerungsschaltungeine entsprechende Anschaltschaltung aufweist, die Steuerelektrodenspannungssignaleempfängt,und wobei die Treiberschaltung mit dem Eingangsanschluß einesersten der Schalter gekoppelt ist. Jeder Schalter geht von einemausgeschalteten Zustand zu einem angeschalteten Zustand als Reaktionauf einen ersten Übergangdes Steuerelektrodenspannungssignals der entsprechenden Anschaltsteuerung über, derdie Anschaltschaltung veranlaßtsich anzuschalten, und jeder Schalter bleibt in dem angeschaltetenZustand als Reaktion auf einen zweiten Übergang des Steuerelektrodenspannungssignalsder entsprechenden Anschaltschaltung, welcher die Anschaltschaltungveranlaßtsich auszuschalten.A transducer probe is also createdwith: several ultrasonic transducers;a driver circuit forUltraschallmeßwertumformer;and multiple high voltage circuits, each with multipleUltraschallmeßwertumformernare connected, each circuit having a corresponding switch,of the input and output connectionsand a corresponding switch control circuit for controlof the state of the corresponding switch, the switcheswith the output connectionsfrom any switch (exceptthe last switch) are connected in series with the input terminal of the next switchare connected, each ultrasonic transducer with a correspondingOutput connection of acorresponding switch is coupled, each switch control circuithas a corresponding switch-on circuit, the control electrode voltage signalsreceivesand the driver circuit having the input terminal of afirst of the switches is coupled. Every switch goes from oneoff state to an on state in responseon a first transitionof the control electrode voltage signal of the corresponding switch-on controlinitiates the activation circuitturn on, and each switch remains in the onState in response to a second transition of the control electrode voltage signalthe corresponding connection circuit, which is the connection circuitcausesturn off.
    [0017] Darüber hinaus wird ein Bauteilgeschaffen, das eine integrierte Hochspannungsschaltung und eineSchaltung zur Schalterprogrammierung aufweist, wobei: die integrierteHochspannuungsschaltung mehrere Schalter, die in Reihe verbundensind, und mehrere Schaltersteuerungsschaltungen aufweist, wobeijede der Schaltersteuerungsschaltungen den Zustand eines entsprechendenvon mehreren Schaltern steuert und eine entsprechende Anschaltschaltungaufweist, welche die Steuerelektrodenspannungssignale bei einementsprechenden Anschluß für Steuerelektrodenspannungssignale empfängt undeine globale Vorspannung fürSchaltersteuerelektroden bei einem entsprechenden globalen Vorspannungsanschluß für Schaltersteuerelektrodenempfängt,wobei jeder Schalter als Reaktion auf einen ersten Übergangdes Steuerelektrodenspannungssignals der Anschaltschaltung, welches dieAnschaltschaltung veranlaßtsich anzuschalten, von einem ausgeschalteten Zustand zu einem angeschaltetenZustand übergeht,und wobei jeder Schalter als Reaktion auf eine zweiten Übergangdes Steuerelektrodenspannungssignals der Anschaltschaltung, welchesdie Anschaltschaltung veranlaßtsich auszuschalten, in dem angeschalteten Zustand bleibt, wobeidie globalen Vorspannungsanschlüsse für Schaltersteuerelektrodenmit einem gemeinsamen Bus verbunden sind; und wobei die Programme zurSchaltungsprogrammierung jeden Schalter mit ihrer eigenen Spannungzum Anschalten der Schaltersteuerelektrode als eine Funktion derentsprechenden globalen Vorspannungen für Schaltersteuerelektroden,die überden Bus angelegt sind, programmieren.It also becomes a componentcreated an integrated high voltage circuit and aHas circuit for switch programming, wherein: the integratedHigh voltage circuit several switches connected in seriesand has a plurality of switch control circuits, whereineach of the switch control circuits the state of a corresponding onecontrols several switches and a corresponding switch-on circuitwhich has the control electrode voltage signals at areceives corresponding connection for control electrode voltage signals anda global bias forSwitch control electrodes with a corresponding global bias connection for switch control electrodesreceiveseach switch in response to a first transitionof the control electrode voltage signal of the switching circuit, which theActivation circuit initiatedto turn on, from an off state to an on stateState passesand wherein each switch is responsive to a second transitionof the control electrode voltage signal of the switching circuit, whichinitiates the activation circuitturn off, remains in the on state, wherebythe global bias connections for switch control electrodesare connected to a common bus; and where the programs forCircuit programming each switch with their own voltageto turn on the switch control electrode as a function ofcorresponding global bias voltages for switch control electrodes,the aboveprogram the bus.
    [0018] Schließlich wird ein Verfahren zumProgrammieren mehrere Hochspannungsschaltungen mit den folgendenSchritten geschaffen: (a) Anlegen eines ersten Vorspannungsniveausfür Schaltersteuerelektrodenan einen ersten Bus, der mit jeder der Hochspannungsschaltungenverbunden ist; (b) Auswählen einerersten von mehreren Hochspannungsschaltungen über einen zweiten Bus; (c)Anlegen eines ersten Steuerspannungsniveaus für Schalterelektroden an dieerste Schaltung, die einen ersten Transistor anschaltet, der daserste Vorspannungsniveau für Schaltersteuerelektrodenan einen gemeinsamen Steueranschluß eines ersten Paars FET-Schalteranlegt, die Rückenzu Rückenintegriert sind, wobei der gemeinsame Steueranschluß eine parasitäre Steuerelektrodenkapazität hat; (d)Anlegen eines zweiten Steuerspannungsniveaus für Schaltersteuerelektrodenan die erste Schaltung, das den ersten Transistor ausschaltet, während dieparasitäreSteuerelektrodenkapazitätdes ersten Paars FET-Schalter das erste Vorspannungsniveau für Schaltersteuerelektroden beibehält, wobeidas erste Vorspannungsniveau für Steuerelektrodenausreichend ist, um das erste Paar FET-Schalter anzuschalten; (e)Anlegen eines zweiten Vorspannungsniveaus für Schaltersteuerelektrodenan den ersten Bus, wobei das erste und das zweite Vorspannungsniveaufür Schaltersteuerelektrodenunterschiedlich sind; (f) Auswähleneiner zweiten aus mehreren Hochspannungsschaltungen über denzweiten Bus (g); Anlegen eines ersten Steuerspannungsniveaus für Schaltersteuerelektrodenan die zweite Schaltung, die einen zweiten Transistor anschaltet,der das zweite Vorspannungsniveau für Schaltersteuerelektrodenan eine gemeinsame Steuerelektrode eines zweiten Paars FET-Schalteranlegt, die Rückenzu Rückenintegriert sind, wobei die gemeinsamen Steuerelektrode eine parasitäre Steuerelektrodenkapazität hat; und(h) Anlegen eines zweiten Steuerspannungsniveaus für Schalterelektrodenan die zweite Schaltung, die den zweiten Transistor ausschaltet,währenddie parasitäreSteuerelektrodenkapazitätdes zweiten Paars FET-Schalter das zweite Vorspannungsniveau für Schaltersteuerelektrodenbeibehält,wobei das zweite Vorspannungsniveau für Schaltersteuerelektrodenausreichend ist, um das zweite Paar FET-Schalter anzuschalten.Finally, a method of programming multiple high voltage circuits is provided, comprising the steps of: (a) applying a first level of bias for switch control electrodes to a first bus connected to each of the high voltage circuits; (b) selecting a first one of a plurality of high voltage circuits via a second bus; (c) applying a first switch electrode control voltage level to the first circuit that turns on a first transistor that applies the first switch control electrode bias level to a common control port of a first pair of FET switches integrated back to back, the common control port being one has parasitic control electrode capacity; (d) Applying a second control voltage level for switch control electrodes to the first circuit, which is the first transistor turns off while the parasitic control electrode capacitance of the first pair of FET switches maintains the first bias level for switch control electrodes, the first bias level for control electrodes sufficient to turn on the first pair of FET switches; (e) applying a second switch control electrode bias level to the first bus, the first and second switch control electrode bias levels being different; (f) selecting a second one of a plurality of high voltage circuits via the second bus (g); Applying a first control voltage level for switch control electrodes to the second circuit which turns on a second transistor which applies the second bias level for switch control electrodes to a common control electrode of a second pair of FET switches integrated back to back, the common control electrode having a parasitic control electrode capacitance ; and (h) applying a second switch electrode control voltage level to the second circuit that turns off the second transistor while the parasitic control electrode capacitance of the second pair of FET switches maintains the second switch control electrode bias level, the second switch control electrode bias level being sufficient to the second Turn on pair of FET switches.
    [0019] Andere Aspekte der Erfindung werdenoffenbart und beansprucht.Other aspects of the invention will bedisclosed and claimed.
    [0020] Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformender Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Eszeigen:The following are preferred embodimentsthe invention described with reference to the drawings. Itdemonstrate:
    [0021] 1 einDiagramm einer Hochspannungsschaltung gemäß einer ersten Ausführungsformder Erfindung; 1 a diagram of a high voltage circuit according to a first embodiment of the invention;
    [0022] 2 einDiagramm einer Hochspannungsschaltung mit erweiteter Steuerspannungsfähigkeit für Steuerelektrodengemäß einerweiteren Ausführungsformder Erfindung; 2 a diagram of a high voltage circuit with expanded control voltage capability for control electrodes according to a further embodiment of the invention;
    [0023] 3 einDiagramm einer Hochspannungsschaltung mit integriertem Vorspannungswiderstand gemäß einerweiteren Ausführungsformder Erfindung; 3 a diagram of a high voltage circuit with integrated bias resistor according to another embodiment of the invention;
    [0024] 4 einDiagramm einer Hochspannungsschaltung mit schwebender PMOS-Klemmschaltung gemäß einerweiteren Ausführungsformder Erfindung; 4 a diagram of a high voltage circuit with floating PMOS clamp circuit according to a further embodiment of the invention;
    [0025] 5 einDiagramm einer Kaskade aus Hochspannungsschaltungen, um selektivUltraschallmeßwertumformereines Matrixfeldes zu treiben. 5 a diagram of a cascade of high voltage circuits to selectively drive ultrasonic transducers of a matrix field.
    [0026] Zu Beginn sollte bemerkt werden,daß die Verbindungzur Erdung, die in den Zeichnungen gezeigt sind, vereinfacht dargestelltsind. In jeder der hier offenbarten Ausführungsformen ist der Erdungsanschluß in derRegel mit einer negativen Spannung verbunden, die oft VSS genanntwird. Währendes am einfachsten ist, diese als Erdpotential zu zeigen, wird inbestimmten Fällentatsächlichein Erdpotential verwendet. Dies ist so zu verstehen, daß das Erdpotentiallediglich eine Referenzspannung ist und daß abhängig von der Anwendung andereSpannungen sowohl positive als auch negative (mit Bezug auf das Erdpotential)verwendet werden könnten.To begin with, it should be noted that the connection to ground shown in the drawings is shown in simplified form. In each of the embodiments disclosed herein, the ground connection is typically connected to a negative voltage, often called V SS . While it is easiest to show this as an earth potential, in some cases an earth potential is actually used. This is to be understood that the ground potential is only a reference voltage and that depending on the application, other voltages, both positive and negative (with respect to the ground potential) could be used.
    [0027] Die Erfindung betrifft Schaltungen,welche die bereits erwähntenProbleme lösen.Eine große Anzahlvon Schaltern kann direkt in einem Hochspannungs-CMOS-Prozeß integriertwerden, so daß siedie Ultraschallaussendespannungspulse aushalten. Die Steuerelektrodenspannungkann fürjeden Schalter einzeln programmiert sein. Diese Erfindung sorgtfür Betriebmit niedriger Leistung und erlaubt es, die Schalter in Reihe zuschalten, so daß imwesentlichen kein Verluststrom auftritt, wenn der Schalter an ist.Die Erfindung schafft auch Schalter, die ihren eigenen lokalen Speicherhaben, d.h. die Schalter haben die Fähigkeit, sich einen Schaltungszustandzu merken. Verschiedene Ausführungsformen derErfindung werden nun mit Bezugnahme auf die Zeichnungen zur Veranschaulichungbeschrieben werden.The invention relates to circuits,which the ones already mentionedSolve problems.A big numberof switches can be integrated directly into a high voltage CMOS processbe so that theyendure the ultrasonic voltage pulses. The control electrode voltagecan foreach switch must be programmed individually. This invention providesfor operationwith low power and allows the switches to be connected in seriesswitch so that inessentially no leakage current occurs when the switch is on.The invention also creates switches that have their own local storagehave, i.e. the switches have the ability to get a circuit stateto notice. Different embodiments of theInvention will now be illustrated by reference to the drawingsto be discribed.
    [0028] 1 zeigteine Ausführungsformder Erfindung. Die Transistoren MD1 undMD2 sind DMOSFETs, dieRückenzu Rücken(die Quellknoten sind kurzgeschlossen) miteinander verbunden sind,um eine bipolaren Betrieb zu ermöglichen,Diese Verbindung ist aufgrund von parasitären Dioden (wie in dem Schemagezeigt) nötig,die ansonsten einen Leitungsweg von der Senke zur Quelle von jedemBauteil während derpositiven oder negativen Phase des Ultraschallaussendepulses aufweisenwürden. 1 shows an embodiment of the invention. Transistors M D1 and M D 2 are DMOSFETs that are back-to-back (the source nodes are shorted) together to allow bipolar operation. This connection is necessary due to parasitic diodes (as shown in the schematic) that are otherwise would have a conduction path from the sink to the source of each component during the positive or negative phase of the ultrasonic transmission pulse.
    [0029] In der Ausführungsform, die in 1 gezeigt ist, fließt der Stromdurch die SchalteranschlüsseS1 und S2, wennsowohl MD1 als auch MD2 angeschaltet sind.Um den Schalter anzuschalten, muß die Steuerelektrodenspannungdieser Bauteile um eine Schwellenspannung größer als ihre Quellenspannungsein. Überdieser Schwellenspannung verändertsich der Widerstand im angeschalteten Zustand umgekehrt zu der Steuerelektrodenspannung.Da die Quellenspannung ähnlichzu der Senkenspannung (füreinen niedrigen Widerstand im angeschalteten Zustand und einen niedrigenStrom) sein wird, wird die Quellenspannung dem Ultraschallaussendespannungspulsfolgen. Damit die Spannung zwischen Steuerelektrode und Quelle konstantbleibt, muß die Steuerelektrodenspannungauch dem Aussendespannungspuls folgen. Dies kann durch die Isolierung derQuelle und der Steuerelektrode von der Schaltersteuerungsschaltungund Vorsehung eines festen Potentials an der Steuerelektrode mitBezug auf die Quelle erreicht werden. Wie oben beschrieben wird diesim Stand der Technik fürUltraschall erreicht, indem statische Pegelverschieber verwendetwerden. In der Ausführungsform,die in 1 gezeigt wird, wirdein dynamischer Pegelversschieber verwendet. Dieser Pegelverschieberfunktioniert wie folgt: der Transistor M4 istein Hochspannungs-PMOS-Transistor, der die maximale Spannung (beispielsweise100 V) zwischen seinem Senken- und seinem Quellenanschluß aushaltenkann. Die Quelle des Transistors M4 istmit der globalen Vorspannung Vg0 für Schaltersteuerelektroden(nominell 5 V) wie gezeigt vorgepolt. Um den Schalter anzuschalten,geht die Steuerelektrodenspannung VP desTransistors M4 von hoch (5 V) zu niedrig(0 V) über,was dazu führt,daß dieglobale Vorspannung Vg0 über den Transistor M4 an den gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß der FETsMD1 und MD2 angelegtwird. Die Diode D1 ist vorgesehen, um zuverhindern, daß dieTransistoren M4 angeschaltet werden, wennsich die DMOS-Schaltersteuerelektrodenspannung über Vg0 befindet. Sobald die SchaltersteuerelektrodenspannungVg0 erreicht hat, wird die parasitäre Steuerelektrodenkapazität der FETsMD1 und MD2 dieseSpannung beibehalten. Sobald sich die Steuerelektrodenspannung stabilisierthat, kann der Transistor M4 aus diesem Grundausgeschaltet werden, um Strom zu sparen. Verluststrom bei der Senke desTransistors M4 wird schließlich dieVorspannung bei der Schaltersteuerelektrode verbrauchen, aber dieseSpannung kann periodisch neu programmiert werden, falls nötig. DieTatsache, daß dereingeschaltete Zustand wirkungsvoll bei der Schaltersteuerelektrodenkapazität gespeichertwird, bedeutet, daß derSchalter ein eigenes Gedächtnishat, da es nicht notwendig ist, zusätzliche Flip-Flops zu diesem Zweckvorzusehen.In the embodiment that in 1 is shown, the current flows through the switch connections S 1 and S 2 when both M D1 and M D2 are switched on. To turn on the switch, the control electrode voltage of these components must be greater than their source voltage by a threshold voltage. Above this threshold voltage, the resistance in the switched-on state changes inversely to the control electrode voltage. Since the source voltage will be similar to the sink voltage (for a low on-resistance and a low current), the source voltage will follow the ultrasonic transmit voltage pulse. So that the voltage between the control electrode and source remains constant, the control electrode voltage must also follow the emission voltage pulse. This can be accomplished by isolating the source and control electrode from the switch control circuit and providing a fixed potential on the control electrode with respect to the source. As described above, this is accomplished in the prior art for ultrasound by using static level shifters. In the embodiment that in 1 is shown, a dynamic level shifter is used. This level shifter works as follows: The transistor M 4 is a high voltage PMOS transistor that has the maximum span voltage (for example 100 V) between its sink and its source connection. The source of transistor M 4 is biased with global bias V g0 for switch control electrodes (nominally 5 V) as shown. To turn the switch on, the control electrode voltage V P of transistor M 4 transitions from high (5 V) to low (0 V), resulting in global bias voltage V g0 through transistor M 4 at the common control electrode terminal of FETs M D1 and M D2 is created. Diode D 1 is provided to prevent transistors M 4 from turning on when the DMOS switch control electrode voltage is above V g0 . Once the switch control electrode voltage has reached V g0 , the parasitic control electrode capacitance of the FETs M D1 and M D2 is maintained at this voltage. For this reason, once the control electrode voltage has stabilized, the transistor M 4 can be switched off in order to save electricity. Leakage current at the sink of transistor M 4 will eventually consume the bias on the switch control electrode, but this voltage can be periodically reprogrammed if necessary. The fact that the on state is effectively stored in the switch control electrode capacity means that the switch has its own memory since it is not necessary to provide additional flip-flops for this purpose.
    [0030] Im angeschalteten Zustand kann derSchalter unter Verwendung des NMOS-SteuerelektrodenklemmtransistorsM1 ausgeschaltet werden. Dies wird getan,indem eine Anschaltspan nung an die Steuerelektrode des TransistorsM1 unter Verwendung des Pegelverschiebersangelegt wird, der aus dem Transistoren M2,M3, M5 und M6 besteht . Wenn dieser Transistor angeschaltetist, zwingt er die Schaltersteuerelektrodenspannung der Schalterquellenspannunggleich zu sein, was die Schalter MD1 undMD2 in den ausgeschaltete Zustand bringt.Der Vorgang, diese Spannungen anzugleichen, verbraucht wirkungsvolldie Ladung, die sich nach der oben beschriebenen Anschaltoperationauf der Steuerelektrodenkapazitätbefindet. Sobald die Ladung entfernt ist, muß der Transistor M1 nichtangelassen werden. Dies bedeutet, daß die Steuerungspegelverschieberschaltungfür dieseBauteil ausgeschaltet werden kann, sobald sich der Schalter stabilisierthat, und dies wird Strom sparen. Wiederum kann der ausgeschalteteZustand füreine ausgedehnte Zeitdauer gespeichert werden und, wenn nötig, neuprogrammiert werden.When switched on, the switch can be switched off using the NMOS control electrode clamping transistor M 1 . This is done by applying a switch-on voltage to the control electrode of transistor M 1 using the level shifter, which consists of transistors M 2 , M 3 , M5 and M 6 . When this transistor is turned on, it forces the switch control electrode voltage to be equal to the switch source voltage , causing switches M D1 and M D2 to be in the off state. The process of equalizing these voltages effectively consumes the charge that is on the control electrode capacitance after the turn-on operation described above. Once the charge is removed, transistor M 1 need not be started. This means that the control level shifter circuit for this device can be turned off once the switch has stabilized, and this will save power. Again, the off state can be saved for an extended period of time and, if necessary, reprogrammed.
    [0031] Die Schaltung, die in 1 gezeigt ist, hat die folgendenVorteile: (1) niedrige Leistung, da es keinen statischen Stromverlustgibt, um das Bauteil in dem angeschalteten oder ausgeschaltetenZustand beizubehalten; Leistung wird nur während des Übergangs von einem Zustandin den nächstenverbraucht; (2) Zustandsgedächtnis,da der Schalterzustand wirkungsvoll auf der Schaltersteuerelektrodenkapazität gespeichertwird; (3) in Reihe schaltbare Schalter aufgrund des nicht Vorhandenseinseines statischen Vorspannungsstroms und eines Spannungsabfalls imangeschalteten Zustand; und (4) programmierbarer Widerstand im angeschaltetenZustand, da Vg0 individuell gesteuert werdenkann.The circuit that is in 1 has the following advantages: (1) low power since there is no static power loss to keep the device in the on or off state; Power is only consumed during the transition from one state to the next; (2) state memory because the switch state is effectively stored on the switch control electrode capacity; (3) series switchable switches due to the lack of a static bias current and a voltage drop when turned on; and (4) programmable on-state resistance since V g0 can be individually controlled.
    [0032] Die Schaltung, die in 1 gezeigt ist (wie auchjede der Schaltungen, die in den 2-4 gezeigt sind), können alsTeil einer Reihe von Schaltern, wie in 5 gezeigt, verwendet werden. Die beispielhafteReihe, die in 5 gezeigtist, weist drei Schalter X1, X2 und X3 auf, die in Reihe verbundensind, obwohl dies so zu verstehen ist, daß mehr als drei Schalter aufdie gezeigte Art in Reihe geschaltet werden können. Die Zustände derSchalter X1 bis X3 werden von entsprechenden SchaltersteuerungsschaltungenC1 bis C3 gesteuert. Beispielsweise kann jede der SchaltersteuerungsschaltungenC1 bis C3 die Transistoren M1 bis M6 aufweisen, die wie in 1 veranschaulicht verbunden sind. Anderebeispielhafte Anordnungen der Steuerschaltungen C1 bis C3 in 5 werden später mitBezugnahme auf die 2-4 jeweils beschrieben.The circuit that is in 1 is shown (as is each of the circuits shown in the 2 - 4 ) can be used as part of a series of switches as shown in 5 shown, used. The exemplary series that in 5 is shown has three switches X1, X2 and X3 connected in series, although it should be understood that more than three switches can be connected in series in the manner shown. The states of switches X1 to X3 are controlled by corresponding switch control circuits C1 to C3. For example, each of the switch control circuits C1 to C3 may have the transistors M 1 to M 6 , which are as in FIG 1 illustrated are connected. Other exemplary arrangements of the control circuits C1 to C3 in FIG 5 will be discussed later with reference to the 2 - 4 each described.
    [0033] Eine digitale Schaltung (nicht gezeigt)steuert VN und VP in 1. In einer Ausführungsformhat diese digitale Schaltung einen lokalen Speicher für den Zustanddes Schalters. Ein externes Steuerungssystem (Programmierschaltung 12 in 5) programmiert alle Schalterspeicherunter Verwendung einer Datenleitung 18, so daß sie entwederim eingeschalteten, ausgeschalteten oder unveränderten Zustand sind. Dannwird eine globale Auswahlleitung 14 (siehe 5) verwendet, um den Zustand der gegenwärtigen Schaltersteuerungsschaltunganzulegen. Bis die Auswahlleitung betätigt wird, sind somit sowohlVN als auch VP null.Für diesenZustand behältder Schalter seinen letzten Zustand bei. Wenn die globale Auswahlleitung 14 betätigt wird,wird der gespeicherte Schalterzustand zu dem Schalter selbst übertragen,indem entweder VN hoch (Ausschalten desSchalters), VP niedrig (Anschalten des Schalters) oderVN niedrig und VP hoch(keine Veränderungdes Schalterzustands) gemacht wird. Die globalen Vorspannungsanschlüsse für Schaltersteuerelektroden einesjeden Schalters X1 bis X3 in 5 sindmit einem Bus 16 verbunden. Die globale Auswahlleitung 14 erlaubtes in Verbindung mit dem globalen Vorspannungsbus 16 für Schaltersteuerelektroden,die Anschaltspannung von jedem Schalter X1 bis X3 unabhängig zuprogrammieren. Genauer kann fürjeden Schalter eine eigene einmalige Steuerelektrodeneinschaltspannungprogrammiert werden, die verwendet werden kann, um die Widerstände in eingeschaltetem Zustandfür alleSchalter in dem Matrixfeld einzustellen, um eine Variation aufgrundder Verarbeitung zu korrigieren. In einem Matrixfeld kann dieser Vorgangdadurch ausgeführtwerden, indem zuerst alle Schaltersteuerungsschaltungen nicht gewählt werden(das heißtVN wird für alle Schaltungen unter Verwendungder globalen Auswahlleitung niedrig und VP hochgemacht) und dann die Steuerelektrodenspannung für einen ersten Schalter anden globalen Vorspannungsbus 16 für Steuerelektroden angelegt wird.Der (erste) Schalter, der diese Spannung erhalten wird, wird dannin den angeschalteten Zustand „programmiert", d.h. der Schalterwird so aktiviert, daß seinWiderstand aus dem MOhm-Bereich auf ein paar hundert Ohm abfällt undein Strom zwischen der Quelle und der Senke des Bauteils zu fließen beginnt).Sobald sich die Spannung stabilisiert hat, wird die Programmierschaltung 12 ausgeschaltet.Dann wird die Steuerelektrodenspannung für einen zweiten Schalter anden globalen Steuerspannungsbus 16 angelegt. Der (zweite)Schalter, der diese Spannung empfängt, wird dann in den angeschaltetenZustand programmiert. Diese Sequenz kann wiederholt werden, bisjeder Schalter in dem Matrixfeld seine eigene Anschaltspannung empfängt. AuchkönnenGruppen aus Schaltern, die ähnlicheAnschaltspannungen haben, gleichzeitig vorgepolt werden, in demdie globale Steuerelektrodenspannung nicht verändert wird, bevor jeder Schalterin der Gruppe eingeschaltet wird. Schließlich könnten in einem Matrixfeld getrennteSteuerelektrodenspannungsbusse 16 für jeden Spalte von Schalternverwendet werden, um die Programmiergeschwindigkeit zu erhöhen.A digital circuit (not shown) controls V N and V P in 1 , In one embodiment, this digital circuit has local memory for the state of the switch. An external control system (programming circuit 12 in 5 ) programs all switch memories using a data line 18 so that they are either on, off or unchanged. Then a global selection line 14 (please refer 5 ) used to apply the state of the current switch control circuit. Until the selection line is actuated, both V N and V P are thus zero. The switch maintains its last state for this state. If the global selection line 14 is actuated, the stored switch state is transmitted to the switch itself by making either V N high (switch off), V P low (switch on), or V N low and V P high (no change in switch state). The global bias connections for switch control electrodes of each switch X1 to X3 in 5 are on a bus 16 connected. The global selection management 14 allows it in connection with the global bias bus 16 for switch control electrodes, to program the switch-on voltage of each switch X1 to X3 independently. More specifically, a unique one-shot control electrode turn-on voltage can be programmed for each switch, which can be used to adjust the on-state resistances for all switches in the array to correct for variation due to processing. In a matrix array, this can be done by first not selecting all switch control circuits (i.e. V N goes low for all circuits using the global select line and V P made high) and then the control electrode voltage for a first switch to the global bias bus 16 for control electrodes. The (first) switch that receives this voltage is then "programmed" to the on state, ie the switch is activated so that its resistance drops from the MOhm range to a few hundred ohms and a current between the source and the sink of the component begins to flow.) Once the voltage has stabilized, the programming circuit 12 switched off. Then the control electrode voltage for a second switch is connected to the global control voltage bus 16 created. The (second) switch that receives this voltage is then programmed to the on state. This sequence can be repeated until each switch in the matrix field receives its own turn-on voltage. Groups of switches that have similar switch-on voltages can also be prepolared at the same time by not changing the global control electrode voltage before each switch in the group is switched on. Finally, separate control electrode voltage buses could be used in a matrix array 16 be used for each column of switches to increase the programming speed.
    [0034] Weiterhin mit Bezugnahme auf 5 kann ein erstes UnterelementU1 fürUltraschallmeßwertwandlervon dem Ultraschalltreiber 10 getrieben werden, wenn einAussende/Empfangs-(T/R)-Schalter 20 in dem Aussendeschalterzustandist und Schalter X1 angeschaltet ist; ein zweites Unterelement U2für Ultraschallmeßwertwandlerkann von einem Ultra schalltreiber getrieben werden, wenn der T/R-Schalter 20 inseinem Aussendeschalterzustand ist und sowohl Schalter X1 als auchX2 angeschaltet sind; und eine drittes Unterelement U3 für Ultraschallmeßwertumformerkann von einem Ultraschalltreiber 10 getrieben werden,wenn der T/R-Schalter in seinem Aussendeschalterzustand ist unddie Schalter X1, X2 und X3 alle angeschaltet sind. Um einen Gleichstromwegwährendder Programmierung zu schaffen, muß in diesem Fall eine Anschaltsequenzbefolgt werden. Fürdrei Schalter heißtdas beispielsweise: von X1, X2 und X3, die von links nach rechtsin Reihe geschaltet sind, wobei der Schalter X1 mit dem Ultraschalltreiberverbunden sind, muß zuerstX1 angeschaltet werden. Dies wird den gemeinsamen Anschluß von X1und X2 mit dem Ultraschalltreiber über X1 verbinden. Als nächstes kannX2 angeschaltet werden, was zur Verbindung des gemeinsamen Anschlussesvon X2 und X3 mit dem Treiber führt. Schließlich kannX3 auch angeschaltet werden. In dem Empfangsmodus werden die zurückgegebenen Signale,die von den entsprechenden Elementen für Ultraschallmeßwertumformererfaßtwerden, von einem Empfänger 22 über dieentsprechenden Schalter und den T/R-Schalter 20 empfangen, der inden Empfangsschalterzustand geschaltet ist.Continue with reference to 5 can be a first sub-element U1 for ultrasonic transducers from the ultrasonic driver 10 be driven when a transmit / receive (T / R) switch 20 is in the transmit switch state and switch X1 is on; a second sub-element U2 for ultrasonic transducers can be driven by an ultrasonic driver if the T / R switch 20 is in its transmit switch state and both switches X1 and X2 are switched on; and a third sub-element U3 for ultrasonic transducers can be from an ultrasonic driver 10 be driven when the T / R switch is in its transmit switch state and switches X1, X2 and X3 are all turned on. In this case, a connection sequence must be followed to create a DC path during programming. For three switches this means, for example: of X1, X2 and X3, which are connected in series from left to right, the switch X1 being connected to the ultrasonic driver, X1 must first be switched on. This will connect the common connection of X1 and X2 to the ultrasonic driver via X1. Next X2 can be switched on, which leads to the connection of the common connection of X2 and X3 with the driver. Finally, X3 can also be switched on. In the receive mode, the returned signals, which are detected by the corresponding elements for ultrasonic transducers, are received by a receiver 22 received via the corresponding switch and the T / R switch 20, which is switched to the receive switch state.
    [0035] Die Schaltung aus 1 kann wie in 2 gezeigt verbessert werden. Hier wurdendie Transistoren M7 und M8 hinzugefügt, um einenPegelverschieber fürdas Eingangssteuerungssignal VP zu schaffen.Diese Schaltung ermöglichtes, eine Steuerungsschaltung zu verwenden, die unabhängig von derSchaltersteuerungsspannung Vg0 ist. BeispielsweisekönnteVP vorteilhafterweise von 0 bis 3,3 V oder0–1,5V für denBetrieb mit niedriger Leistung reichen, während die SteuerungsspannungVg0 für dieSchaltersteuerelektrode zwischen 5 und 10 V abhängig von den Typen der verwendetenDMOSFETs gesetzt wäre.The circuit out 1 can like in 2 shown to be improved. Here, transistors M 7 and M 8 were added to create a level shifter for input control signal V P. This circuit makes it possible to use a control circuit which is independent of the switch control voltage V g0 . For example, V P could advantageously range from 0 to 3.3 V or 0-1.5 V for low power operation, while the control voltage V g0 for the switch control electrode would be between 5 and 10 V depending on the types of DMOSFETs used.
    [0036] Eine weitere Verbesserung der Schaltung aus 1 ist in 3 gezeigt. Das Hinzufügen des VorspannungswiderstandsR1 erlaubt es, einen Anschluß (d.h.S2) des Schalters bei einem konstanten PotentialVtb beizubehalten. Diese Spannung wird verwendet,um den Ultraschallmeßwertumformer vorzuspannen,der gewöhnlichmit diesem Anschluß verbundenwäre undwirkt auch als „Ablaßwiderstand", um den Meßwertumformerschnell auf seinen stationärenZustand zurückzubringen.Das Hinzufügenvon R1 ermöglicht es auch, die Schalterin Reihe zu schalten, ohne daß eineAnschaltsequenz wie oben beschrieben notwendig ist. Ohne den zusätzlichenWeg zum Erdpotential kann es nicht möglich sein, einen Schalteranzuschalten, der zwischen zwei anderen ausgeschalteten Schalternisoliert ist, da die schwebenden Anschlüsse kein bekanntes Potential sind.Da die Quellenspannung nicht wirkungsvoll gesteuert wird, wird dasAuslassen des Vorspannungswiderstands eine unvorhersehbare Spannungverursachen, die an den DMOS-Steuerelektroden und Quellenanschlüssen verbleibt.Diese Spannung kann zu niedrig sein, um den Schalter anzuschalten,kann ihn mit dem falschen Widerstand im angeschalteten Zustand anschaltenoder kann so groß sein,daß sie dasBauteil beschädigt.Another improvement to the circuit 1 is in 3 shown. The addition of the bias resistor R 1 allows one terminal (ie S 2 ) of the switch to be kept at a constant potential V tb . This voltage is used to bias the ultrasonic transducer that would ordinarily be connected to this connector and also acts as a "drain resistor" to quickly bring the transducer back to steady state. The addition of R 1 also allows the switches to be connected in series Without the need for a power up sequence as described above, without the additional path to ground potential, it may not be possible to turn on a switch that is isolated between two other turned off switches because the floating terminals are not a known potential. Because the source voltage is not effective being controlled, skipping the bias resistor will cause an unpredictable voltage remaining on the DMOS control electrodes and source terminals, this voltage may be too low to turn on the switch, or may turn it on with the wrong resistor when turned on be so large that it damages the component.
    [0037] Eine Verbesserung der Schaltung aus 2 ist in 4 gezeigt. Die Schaltung funktioniertauf ähnlicheWeise wie die Schaltung in 2,wobei der Unterschied darin besteht, daß das schwebende Paar NMOS-Transistoren(M1 und M2), dasdie DMOS-Transistorsteuerelektrodenspannungen klemmt, durch einenschwebenden PMOS-Transistoren ersetzt wurde. Der Unterschied isterheblich, da schwebende NMOS-Transistorenfür einige CMOS-Prozessenicht machbar sind, und die Transistoren schweben müssen, damitdie Schaltung richtig funktioniert. Diese Änderung vereinfacht die Schaltungauch etwas, indem die Anzahl der erforderlichen Pegelverschiebertransistorenverringert wird (d. h. die Transi storen M3 undM5 in der Schaltung aus 2 wurden weggelassen), Bevor die Schalterprogrammiert werden können,um Verarbeitungsvariationen zu korrigieren, muß eine Kalibrierung durchgeführt werden.Abhängigvon der erforderlichen Genauigkeit kann die Kalibrierung für eine oderzwei repräsentativeSchalter durchgeführtwerden (z. B. an jedem Ende des Matrixfeldes aus Schaltern), undim letzten Fall wird ein Mittelwert verwendet. Die Kalibrierungkönnteauch ein einziges Mal (z. B. währendder Herstellung) durchgeführtwerden und dann währenddes Betriebs verwendet werden. Die Kalibrierung könnte auchwiederholt während desBetriebs durchgeführtwerden, um die Verschiebung der Parameter aufgrund von Temperaturveränderungenzu variieren.An improvement in the circuit 2 is in 4 shown. The circuit works in a similar way to the circuit in FIG 2 the difference being that the floating pair of NMOS transistors (M 1 and M 2 ) that clamps the DMOS transistor control electrode voltages has been replaced by a floating PMOS transistor. The difference is significant because floating NMOS transistors are not feasible for some CMOS processes, and the transistors must float for the circuit to work properly. This change also simplifies the circuit somewhat by reducing the number of level shifter transistors required (ie the transistors M 3 and M 5 in the circuit 2 have been omitted) Before the switches can be programmed to correct processing variations, a calibration must be performed. Depending on the required accuracy, the calibration can be carried out for one or two representative switches (e.g. at each end of the matrix field made of scarf tern), and in the latter case an average is used. The calibration could also be performed once (e.g. during manufacture) and then used during operation. The calibration could also be performed repeatedly during operation to vary the parameter shift due to temperature changes.
    权利要求:
    Claims (8)
    [1]
    Integrierte Hochspannungsschaltung mit: einemSchalter mit einem angeschalteten und einem ausgeschalteten Zustand,der eine parasitäreSteuerelektrodenkapazitätaufweist, wobei der Schalter ein Paar DMOS-Transistoren (MD1,MD2 ) aufweist,die Rückenzu Rückenintegriert sind und einen gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß haben,wobei die Senken der DMOS-Transistoren mit dem Eingangsanschluß bzw. demAusgangsanschluß desSchalters verbunden sind; und einer Anschaltschaltung mit einemPMOS-Transistor (M4), dessen Senke mit dengemeinsamen Steuerelektrodenanschluß des Schalters über eineDiode (Di) verbunden ist, dessen Quellemit einem ersten globalen Vorspannungsanschluß (Vg0)für Steuerelektrodenverbunden ist, von welchem der PMOS-Transistor Strom entnimmt, unddessen Steuerelektrode elektrisch mit einem Steuerungsanschluß für Schaltersteuerelektrodengekoppelt ist, der ein erstes Steuerspannungssignal (VP)für Schaltersteuerelektrodenempfängt, wobeider Schalter vom ausgeschalteten Zustand zum angeschalteten Zustandals Reaktion auf einen ersten Übergangdes Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden übergeht,der den PMOS-Transistor veranlaßtsich anzuschalten, und wobei der Schalter in dem angeschaltetenZustand als Reaktion auf einen zweiten Übergang des ersten Steuerspannungssignalsfür Schaltersteuerelektrodenbleibt, der den PMOS-Transistor veranlaßt sich auszuschalten.Integrated high-voltage circuit comprising: a switch with an on and an off state, which has a parasitic control electrode capacitance, the switch having a pair of DMOS transistors (M D1 , M D 2 ), which are integrated back-to-back and have a common control electrode connection, wherein the sinks of the DMOS transistors are connected to the input terminal and the output terminal of the switch; and an activation circuit with a PMOS transistor (M 4 ), the drain of which is connected to the common control electrode connection of the switch via a diode (D i ), the source of which is connected to a first global bias connection (V g0 ) for control electrodes, of which the PMOS transistor takes current, and its control electrode is electrically coupled to a switch control electrode control terminal receiving a first control voltage signal (V P ) for switch control electrodes, the switch transitioning from the off state to the on state in response to a first transition of the control voltage signal for switch control electrodes which causes the PMOS transistor to turn on and wherein the switch remains in the on state in response to a second transition of the first control voltage signal for switch control electrodes which causes the PMOS transistor to turn off.
    [2]
    Schaltung nach Anspruch 1, die außerdem eine Abschaltschaltungaufweist mit: einem Pegelverschieber (M2,M3, M5, M6), der mit einem Spannungsversorgungsanschluß verbundenist, von welchem der Pegelverschieber Strom entnimmt, wobei unterschiedlicheSpannung zu dem Spannungszufuhranschluß und dem ersten globalen Vorspannungsanschluß für Schaltersteuerelektrodenzugeführtwerden, wobei der Pegelverschieber einen ersten Pegelverschiebertransistor(M6) aufweist, dessen Steuerelektrode miteinem zweiten Steuerungsanschluß für Schaltersteuerelektrodenverbunden ist, der ein zweites Steuerspannungssignal für Schaltersteuerelektrodenempfängt;und einen Steuerelektrodenklemmtransistor (M1),dessen Senke mit dem gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß des Schaltersverbunden ist, dessen Quelle mit einer Verbindung der Quellen derDMOS-Transistoren und dem Pegelverschieber verbunden ist, und dessenSteuerelektrode mit dem Pegelverschieber verbunden ist, wobeider Schalter von dem angeschalteten zu dem ausgeschalteten Zustandals Reaktion auf einen ersten Übergangdes zweiten Steuerspannungssignals für die Schaltersteuerelektrode übergeht,der den ersten Pegelverschiebertransistor veranlaßt sichanzuschalten, und wobei der Schalter als Reaktion auf einen zweiten Übergangdes zweiten Steuerspannungssignals für Schaltersteuerelektroden,der den ersten Pegelverschiebertransistor veranlaßt sichabzuschalten, in den ausgeschalteten Zustand übergeht.The circuit of claim 1, further comprising a shutdown circuit comprising: a level shifter (M 2 , M 3 , M 5 , M 6 ) connected to a power supply terminal from which the level shifter draws current, different voltages to the voltage supply terminal and the first global bias terminal for switch control electrodes are supplied, the level shifter comprising a first level shifter transistor (M 6 ), the control electrode of which is connected to a second control terminal for switch control electrodes which receives a second control voltage signal for switch control electrodes; and a control electrode clamp transistor (M 1 ), the drain of which is connected to the common control electrode terminal of the switch, the source of which is connected to a connection of the sources of the DMOS transistors and the level shifter, and the control electrode of which is connected to the level shifter, the switch of which turns on to the off state in response to a first transition of the second control voltage signal for the switch control electrode that causes the first level shifter transistor to turn on, and the switch in response to a second transition of the second control voltage signal for switch control electrodes that causes the first level shifter transistor to turn off switches to the switched-off state.
    [3]
    Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, die außerdem eineTreiberschaltung (10), die elektrisch mit dem Schaltereingangsanschluß gekoppeltist und einen Ultraschallmeßwertumformer(U1) aufweist, der elektrisch mit dem Schalterausgangsanschluß gekoppeltist.A circuit according to claim 1 or 2, further comprising a driver circuit ( 10 ) which is electrically coupled to the switch input connection and has an ultrasonic transducer (U1) which is electrically coupled to the switch output connection.
    [4]
    Schaltung nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Pegelverschieberaußerdemeinen zweiten Pegelverschiebertransi stor (M2)aufweist, dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des Steuerelektrodenklemmtransistorsverbunden ist und mit seiner eigenen Senke kurzgeschlossen ist,dessen Quelle mit der Quelle des Steuerelektrodenklemmtransistors verbundenist, und dessen Senke elektrisch mit dem zweiten Steueranschluß für Schaltersteuerelektroden über denersten Pegelverschiebertransistor gekoppelt ist.The circuit of claim 2 or 3, wherein the level shifter further comprises a second level shifter transistor (M 2 ), the control electrode of which is connected to the control electrode of the control electrode clamping transistor and is short-circuited to its own sink, the source of which is connected to the source of the control electrode clamping transistor, and the latter Sink is electrically coupled to the second control terminal for switch control electrodes via the first level shifter transistor.
    [5]
    Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Anschaltschaltungaußerdemeinen Pegelverschieber (M7, M8) aufweist, der mit der Steuerelektrodedes PMOS-Transistors verbunden ist, wobei der Pegelverschieber einenersten Pegelverschiebertransistor (M8) aufweist,dessen Steuerelektrode mit dem ersten Steueranschluß für Schaltersteuerelektrodenverbunden ist.The circuit of claim 1, wherein the turn-on circuit further comprises a level shifter (M7, M8) connected to the control electrode of the PMOS transistor, the level shifter having a first level shifter transistor (M 8 ) whose control electrode is connected to the first control terminal for switch control electrodes is.
    [6]
    Schaltung nach Anspruch 5, wobei der Pegelverschieberaußerdemeinen zweiten Pegelverschiebertransistor (M7)aufweist, dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des PMOS-Transistorsverbunden ist und mit seiner eigenen Senke kurzgeschlossen ist,dessen Quelle mit einem zweiten globalen Vorspannungsanschluß (Vg0) fürSchaltersteuerelektroden verbunden ist, und dessen Senke mit derSenke des ersten Pegelverschievertransistsors verbunden ist, wobeider erste und der zweite globale Vorspannungsanschluß für Schaltersteuerelektroden dasgleiche Vorspannungssignal (Vg0) empfangen.The circuit of claim 5, wherein the level shifter further comprises a second level shifter transistor (M 7 ), the control electrode of which is connected to the control electrode of the PMOS transistor and is short-circuited to its own sink, the source of which is connected to a second global bias terminal (V g0 ) for switch control electrodes and the drain of which is connected to the drain of the first level shift transistor, the first and second global bias terminals for switch control electrodes receiving the same bias signal (V g0 ).
    [7]
    Schaltung nach einem vorhergehenden Anspruch, dieaußerdemeinen Vorspannungswiderstand (R1) aufweist,der zwischen dem Ausgangsanschluß des Schalters und einer konstantenStromversorgung (Vtb) verbunden ist.A circuit according to any preceding claim, further comprising a bias resistor (R 1 ) connected between the output circuit of the switch and a constant power supply (V tb ) is connected.
    [8]
    Schaltung nach Anspruch 1, die außerdem aufweist: eine Abschaltschaltungmit einem Steuerelektrodenklemmtransi stor (M1)und einem Pegelverschieber (M2, M3, M5, M6), wobei die Senke des Steuerelektrodenklemmtransistors mit dem gemeinsamenSteuerelektrodenanschluß desSchalters verbunden ist, und dessen Quelle mit einer Verbindung derQuellen der DMOS-Transistoren verbunden ist; und einen Vorspannnungswiderstand(R1), der zwischen dem Ausgangsanschluß des Schaltersund einer konstanten Stromversorgung (Vtb)verbunden ist.The circuit of claim 1, further comprising: a shutdown circuit having a control electrode clamp transistor (M 1 ) and a level shifter (M 2 , M 3 , M 5 , M 6 ), the sink of the control electrode clamp transistor being connected to the common control electrode terminal of the switch, and the source of which is connected to a connection of the sources of the DMOS transistors; and a bias resistor (R 1 ) connected between the output terminal of the switch and a constant power supply (V tb ).
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2009-04-30| 8128| New person/name/address of the agent|Representative=s name: 2K PATENTANWAELTE BLASBERG KEWITZ & REICHEL, PARTN |
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